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MGSF1N02L, MVGSF1N02L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.2
0.18
150 ° C
0.14
0.13
150 ° C
0.12
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
V GS = 4.5 V
25 ° C
-55 ° C
0.11
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
V GS = 10 V
25 ° C
-55 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
1.6
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
10
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
1.5
1.4
V GS = 10 V
I D = 2 A
8
V DS = 16 V
T J = 25 ° C
1.3
1.2
1.1
1
V GS = 4.5 V
I D = 1 A
6
4
0.9
0.8
0.7
2
I D = 2.0 A
0.6
- 55
-5
45
95
145
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with Temperature
1
1000
Q T , TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 6. Gate Charge
V GS = 0 V
f = 1 MHz
0.1
T J = 150 ° C
25 ° C
-55 ° C
T J = 25 ° C
C iss
100
0.01
C oss
C rss
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
10
0
5
10
15
20
V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (Volts)
Figure 8. Capacitance
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